제조업체 제품 번호:
FQP27N25
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQP27N25-DG
설명:
MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12921958
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQP27N25 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FQP27
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-FQP27N25
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPP17N25S3100AKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPP17N25S3100AKSA1-DG
단가
1.54
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
BSS138LT7G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FQA170N06
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
JAN2N6756
MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA