제조업체 제품 번호:
KSB1116AGBU
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
KSB1116AGBU-DG
설명:
TRANS PNP 60V 1A TO92-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 120MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
재고:
12855475
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제출
KSB1116AGBU 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
전력 - 최대
750 mW
빈도 - 전환
120MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
기본 제품 번호
KSB11
추가 정보
표준 패키지
10,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
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