제조업체 제품 번호:
KSD1691GSTU
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
KSD1691GSTU-DG
설명:
TRANS NPN 60V 5A TO126-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
재고:
1172 새로운 원본 재고 있음
12853792
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제출
KSD1691GSTU 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
5 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
200 @ 2A, 1V
전력 - 최대
1.3 W
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126-3
기본 제품 번호
KSD1691
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2832-KSD1691GSTU
488-KSD1691GSTU
1990-KSD1691GSTU
KSD1691GSTU-DG
표준 패키지
1,920
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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