제조업체 제품 번호:
MJ11012G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJ11012G-DG
설명:
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
재고:
32 새로운 원본 재고 있음
12850432
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제출
MJ11012G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tray
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Darlington
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
30 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
전력 - 최대
200 W
빈도 - 전환
4MHz
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-204AA, TO-3
공급업체 장치 패키지
TO-204 (TO-3)
기본 제품 번호
MJ11012
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
MJ11012G-DG
ONSONSMJ11012G
2156-MJ11012G-OS
MJ11012GOS
2832-MJ11012G
표준 패키지
100
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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