제조업체 제품 번호:
MJD112T4G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJD112T4G-DG
설명:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
재고:
12848809
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제출
MJD112T4G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Darlington
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
2 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
100 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대
20 W
빈도 - 전환
25MHz
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지
DPAK
기본 제품 번호
MJD112
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-MJD112T4G-OS
MJD112T4GOSTR
MJD112T4GOS-DG
MJD112T4GOS
MJD112T4GOSCT
ONSONSMJD112T4G
MJD112T4GOSDKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
NJVMJD112T4G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
2500
부품 번호
NJVMJD112T4G-DG
단가
0.24
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
MJD112T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
9138
부품 번호
MJD112T4-DG
단가
0.26
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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