MJD3055G
제조업체 제품 번호:

MJD3055G

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

MJD3055G-DG

설명:

TRANS NPN 60V 10A DPAK
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 2MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

재고:

12854468
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제출

MJD3055G 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
10 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
전력 - 최대
1.75 W
빈도 - 전환
2MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지
DPAK
기본 제품 번호
MJD30

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
MJD3055G-DG
MJD3055GOS
표준 패키지
75

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
MJD3055T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
0
부품 번호
MJD3055T4-DG
단가
0.41
대체 유형
Direct
부품 번호
NJVMJD3055T4G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
4619
부품 번호
NJVMJD3055T4G-DG
단가
0.36
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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