제조업체 제품 번호:
MJD31C1
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJD31C1-DG
설명:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Through Hole IPAK
재고:
12844307
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제출
MJD31C1 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
100 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
전력 - 최대
1.56 W
빈도 - 전환
3MHz
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급업체 장치 패키지
IPAK
기본 제품 번호
MJD31
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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