제조업체 제품 번호:
MJE180G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJE180G-DG
설명:
TRANS NPN 40V 3A TO126
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
재고:
139 새로운 원본 재고 있음
12855392
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
MJE180G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
40 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
전력 - 최대
1.5 W
빈도 - 전환
50MHz
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126
기본 제품 번호
MJE180
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSMJE180G
2156-MJE180G-OS
MJE180GOS
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
대체 모델
부품 번호
MJE180 PBFREE
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
1112
부품 번호
MJE180 PBFREE-DG
단가
0.84
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
