MJE181STU
제조업체 제품 번호:

MJE181STU

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

MJE181STU-DG

설명:

TRANS NPN 60V 3A TO126-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126-3

재고:

1880 새로운 원본 재고 있음
12854884
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제출

MJE181STU 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
60 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
전력 - 최대
1.5 W
빈도 - 전환
50MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126-3
기본 제품 번호
MJE181

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
1990-MJE181STU
2832-MJE181STU
표준 패키지
1,920

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075

대체 모델

부품 번호
MJE181STU
제조사
Fairchild Semiconductor
구매 가능 수량
4017
부품 번호
MJE181STU-DG
단가
0.20
대체 유형
Parametric Equivalent
부품 번호
MJE181G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
408
부품 번호
MJE181G-DG
단가
0.24
대체 유형
Direct
DIGI 인증
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