제조업체 제품 번호:
MJE200G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJE200G-DG
설명:
TRANS NPN 40V 5A TO126
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
재고:
7148 새로운 원본 재고 있음
12849162
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제출
MJE200G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
5 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
40 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
전력 - 최대
15 W
빈도 - 전환
65MHz
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-225AA, TO-126-3
공급업체 장치 패키지
TO-126
기본 제품 번호
MJE200
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-MJE200G-OS
MJE200GOS
ONSONSMJE200G
표준 패키지
500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0075
DIGI 인증
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