제조업체 제품 번호:
MJH16006A
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MJH16006A-DG
설명:
TRANS GP BJT NPN 500V 8A
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 8 A 125 W Through Hole SOT-93 (TO-218)
재고:
1614 새로운 원본 재고 있음
12936394
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
MJH16006A 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
8 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
500 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 5A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
150µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
5 @ 8A, 5V
전력 - 최대
125 W
빈도 - 전환
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-218-3
공급업체 장치 패키지
SOT-93 (TO-218)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-MJH16006A
ONSONSMJH16006A
표준 패키지
107
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
2SD1691-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
2SD415-AZ
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
PBHV9515QA147
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR