제조업체 제품 번호:
MMFT960T1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MMFT960T1G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
상세 설명:
N-Channel 60 V 300mA (Tc) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
재고:
12843380
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제출
MMFT960T1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
300mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
65 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
800mW (Ta)
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스
TO-261-4, TO-261AA
기본 제품 번호
MMFT96
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
MMFT960T1GOSTR
MMFT960T1GOS-DG
MMFT960T1GOS
MMFT960T1GOSCT
MMFT960T1GOSDKR
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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