제조업체 제품 번호:
MMUN2135LT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MMUN2135LT1G-DG
설명:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
재고:
23908 새로운 원본 재고 있음
12855471
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제출
MMUN2135LT1G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
2.2 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
전력 - 최대
246 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
기본 제품 번호
MMUN2135
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
MMUN2135LT1GOSDKR
ONSONSMMUN2135LT1G
2156-MMUN2135LT1G-OS
MMUN2135LT1GOSTR
MMUN2135LT1GOSCT
MMUN2135LT1G-DG
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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