제조업체 제품 번호:
MVSF2N02ELT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
MVSF2N02ELT1G-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
상세 설명:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
재고:
2 새로운 원본 재고 있음
12840093
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
MVSF2N02ELT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
150 pF @ 5 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.25W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기본 제품 번호
MVSF2
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
MVSF2N02ELT1G-DG
MVSF2N02ELT1GOSDKR
MVSF2N02ELT1GOSTR
MVSF2N02ELT1GOSCT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
MGSF2N02ELT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
38920
부품 번호
MGSF2N02ELT1G-DG
단가
0.09
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
관련 상품
NTD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
FCPF7N60YDTU
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
FQD5N50CTM-WS
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
