제조업체 제품 번호:
NDBA180N10BT4H
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NDBA180N10BT4H-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12845637
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NDBA180N10BT4H 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V, 15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 15V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6950 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
200W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
NDBA18
추가 정보
다른 이름들
ONSONSNDBA180N10BT4H
2156-NDBA180N10BT4H-ONTR
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPB031N08N5ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5518
부품 번호
IPB031N08N5ATMA1-DG
단가
1.23
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
