제조업체 제품 번호:
NDPL180N10BG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NDPL180N10BG-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 100 V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12844161
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제출
NDPL180N10BG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
180A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V, 15V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3mOhm @ 15V, 50A
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
6950 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.1W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도
175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
NDPL18
추가 정보
다른 이름들
ONSONSNDPL180N10BG
2156-NDPL180N10BG
NDPL180N10BGOS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK100E08N1,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
57
부품 번호
TK100E08N1,S1X-DG
단가
1.64
대체 유형
Similar
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Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
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단가
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