제조업체 제품 번호:
NDS8858H
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NDS8858H-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
상세 설명:
Mosfet Array 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SOIC
재고:
12856601
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제출
NDS8858H 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
6.3A, 4.8A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
720pF @ 15V
전력 - 최대
1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
NDS885
추가 정보
다른 이름들
NDS8858HCT-NDR
NDS8858HDKR
NDS8858HTR
NDS8858HCT
NDS8858HTR-NDR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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