제조업체 제품 번호:
NJVMJD44E3T4G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NJVMJD44E3T4G-DG
설명:
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A 1.75 W Surface Mount DPAK
재고:
2490 새로운 원본 재고 있음
12856847
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제출
NJVMJD44E3T4G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
NPN - Darlington
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
10 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
80 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
2V @ 20mA, 10A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 5V
전력 - 최대
1.75 W
빈도 - 전환
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지
DPAK
기본 제품 번호
NJVMJD44
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NJVMJD44E3T4G-DG
ONSONSNJVMJD44E3T4G
488-NJVMJD44E3T4GDKR
2156-NJVMJD44E3T4G-OS
488-NJVMJD44E3T4GTR
488-NJVMJD44E3T4GCT
2832-NJVMJD44E3T4G
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
2SD1223(TE16L1,NQ)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1345
부품 번호
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
단가
0.31
대체 유형
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