제조업체 제품 번호:
NSBA114YDXV6T1
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NSBA114YDXV6T1-DG
설명:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
재고:
12858686
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제출
NSBA114YDXV6T1 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
10kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
빈도 - 전환
-
전력 - 최대
500mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지
SOT-563
기본 제품 번호
NSBA114
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NSBA114YDXV6T1-ONTR
NSBA114YDXV6T1OS
ONSONSNSBA114YDXV6T1
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
RN2911FE(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
3975
부품 번호
RN2911FE(TE85L,F)-DG
단가
0.04
대체 유형
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