제조업체 제품 번호:
NSS40300DDR2G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NSS40300DDR2G-DG
설명:
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
재고:
5694 새로운 원본 재고 있음
12843712
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제출
NSS40300DDR2G 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
2 PNP (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
3A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
40V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
170mV @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 2V
전력 - 최대
653mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
기본 제품 번호
NSS40300
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NSS40300DDR2GOSTR
ONSONSNSS40300DDR2G
NSS40300DDR2GOSCT
2156-NSS40300DDR2G-OS
NSS40300DDR2GOSDKR
NSS40300DDR2G-DG
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
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