NSV30100LT1G
제조업체 제품 번호:

NSV30100LT1G

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NSV30100LT1G-DG

설명:

NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 1 A 100MHz 710 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

재고:

33000 새로운 원본 재고 있음
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제출

NSV30100LT1G 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
30 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
650mV @ 200mA, 2A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
전력 - 최대
710 mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-NSV30100LT1G-488
표준 패키지
1,781

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
Vendor Undefined
DIGI 인증
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