제조업체 제품 번호:
NTB6412ANG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTB6412ANG-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
12856483
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NTB6412ANG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
58A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
18.2mOhm @ 58A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
167W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
NTB64
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NTB6412ANG-ON
ONSONSNTB6412ANG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN015-100B,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
2021
부품 번호
PSMN015-100B,118-DG
단가
0.81
대체 유형
Similar
부품 번호
PSMN016-100BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
3321
부품 번호
PSMN016-100BS,118-DG
단가
0.64
대체 유형
Similar
부품 번호
IPB123N10N3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7030
부품 번호
IPB123N10N3GATMA1-DG
단가
0.79
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
NDB7060L
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
NVMFS5C646NLT1G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
NTMFS4921NT1G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
