제조업체 제품 번호:
NTB65N02RT4G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTB65N02RT4G-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 25 V 7.6A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
재고:
12857706
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NTB65N02RT4G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.5 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1330 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
D2PAK
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
NTB65
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTB65N02RT4GOS
2156-NTB65N02RT4G
2156-NTB65N02RT4G-ONTR-DG
ONSONSNTB65N02RT4G
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
9945
부품 번호
PSMN4R3-30BL,118-DG
단가
0.58
대체 유형
Similar
부품 번호
PSMN017-30BL,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
1868
부품 번호
PSMN017-30BL,118-DG
단가
0.37
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CH 60V 27A ATPAK
NP82N04PDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 82A TO263
NTD2955PT4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
