NTBGS002N06C
제조업체 제품 번호:

NTBGS002N06C

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NTBGS002N06C-DG

설명:

POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
상세 설명:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 211A (Tc) 3.7W (Ta), 178W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

재고:

12950503
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제출

NTBGS002N06C 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Last Time Buy
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Ta), 211A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V, 12V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 45A, 12V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 225µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
62.1 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4620 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.7W (Ta), 178W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
488-NTBGS002N06CDKR
488-NTBGS002N06CTR
488-NTBGS002N06CCT
표준 패키지
800

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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