제조업체 제품 번호:
NTD12N10-1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTD12N10-1G-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
상세 설명:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
재고:
12842657
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제출
NTD12N10-1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I-PAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
NTD12
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
=NTD12N10
2156-NTD12N10-1G-ON
ONSONSNTD12N10-1G
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PHT6NQ10T,135
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
4949
부품 번호
PHT6NQ10T,135-DG
단가
0.28
대체 유형
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