제조업체 제품 번호:
NTD32N06-1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTD32N06-1G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 93.75W (Tj) Through Hole IPAK
재고:
12859758
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제출
NTD32N06-1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
32A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
26mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1725 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.5W (Ta), 93.75W (Tj)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
IPAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
NTD32
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NTD32N06-1G-ON
ONSONSNTD32N06-1G
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SUD23N06-31-T4-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
2475
부품 번호
SUD23N06-31-T4-GE3-DG
단가
0.48
대체 유형
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