NTD4858N-35G
제조업체 제품 번호:

NTD4858N-35G

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NTD4858N-35G-DG

설명:

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
상세 설명:
N-Channel 25 V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak

재고:

12847106
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제출

NTD4858N-35G 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11.2A (Ta), 73A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19.2 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1563 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I-PAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Stub Leads, IPak
기본 제품 번호
NTD4858

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-NTD4858N-35G-OS
ONSONSNTD4858N-35G
NTD4858N-35G-DG
NTD4858N-35GOS
표준 패키지
75

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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