제조업체 제품 번호:
NTGD4167CT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTGD4167CT1G-DG
설명:
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
상세 설명:
Mosfet Array 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
재고:
928248 새로운 원본 재고 있음
12857549
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제출
NTGD4167CT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.6A, 1.9A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
295pF @ 15V
전력 - 최대
900mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
6-TSOP
기본 제품 번호
NTGD4167
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTGD4167CT1GOSDKR
2156-NTGD4167CT1G-OS
NTGD4167CT1GOSTR
Q13728537
2832-NTGD4167CT1GTR
NTGD4167CT1G-DG
NTGD4167CT1GOSCT
ONSONSNTGD4167CT1G
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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