제조업체 제품 번호:
NTH4L070N120M3S
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTH4L070N120M3S-DG
설명:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
상세 설명:
N-Channel 1200 V 34A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-4L
재고:
422 새로운 원본 재고 있음
13256065
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제출
NTH4L070N120M3S 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
34A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
87mOhm @ 15A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.4V @ 7mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
57 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1230 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
160W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-4L
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-NTH4L070N120M3S
표준 패키지
450
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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