NTHC5513T1
제조업체 제품 번호:

NTHC5513T1

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NTHC5513T1-DG

설명:

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
상세 설명:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™

재고:

12857054
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제출

NTHC5513T1 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
N and P-Channel
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
180pF @ 10V
전력 - 최대
1.1W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지
ChipFET™
기본 제품 번호
NTHC5513

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
NTHC5513T1OS
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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