제조업체 제품 번호:
NTHL045N065SC1
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTHL045N065SC1-DG
설명:
SIC MOS TO247-3L 650V
상세 설명:
N-Channel 650 V 66A (Tc) 291W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
386 새로운 원본 재고 있음
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제출
NTHL045N065SC1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
66A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.3V @ 8mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+22V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1870 pF @ 325 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
291W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-NTHL045N065SC1
표준 패키지
450
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
MSC035SMA070B
제조사
Microchip Technology
구매 가능 수량
49
부품 번호
MSC035SMA070B-DG
단가
10.55
대체 유형
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