제조업체 제품 번호:
NTHS2101PT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTHS2101PT1G-DG
설명:
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
상세 설명:
P-Channel 8 V 5.4A (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
재고:
12848968
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제출
NTHS2101PT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
8 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.4A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2400 pF @ 6.4 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.3W (Ta)
작동 온도
-
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
ChipFET™
패키지 / 케이스
8-SMD, Flat Lead
기본 제품 번호
NTHS21
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTHS2101PT1GOS-DG
NTHS2101PT1GOSCT
NTHS2101PT1GOSTR
=NTHS2101PT1GOSCT-DG
NTHS2101PT1GOS
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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