제조업체 제품 번호:
NTJS3151PT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTJS3151PT1G-DG
설명:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
상세 설명:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
재고:
10336 새로운 원본 재고 있음
12842567
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제출
NTJS3151PT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
12 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.8V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.2V @ 100µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
850 pF @ 12 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
625mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SC-88/SC70-6/SOT-363
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
기본 제품 번호
NTJS3151
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTJS3151PT1GOSDKR
NTJS3151PT1GOSTR
2156-NTJS3151PT1G-488
NTJS3151PT1GOSCT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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