제조업체 제품 번호:
NTMFD4C20NT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTMFD4C20NT1G-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
상세 설명:
Mosfet Array 30V 9.1A, 13.7A 1.09W, 1.15W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
재고:
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제출
NTMFD4C20NT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
Cut Tape (CT)
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9.1A, 13.7A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
970pF @ 15V
전력 - 최대
1.09W, 1.15W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
기본 제품 번호
NTMFD4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTMFD4C20NT1GOSDKR
ONSONSNTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G-DG
NTMFD4C20NT1GOSCT
NTMFD4C20NT1GOSTR
2156-NTMFD4C20NT1G-OS
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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