제조업체 제품 번호:
NTMT090N65S3HF
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTMT090N65S3HF-DG
설명:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
상세 설명:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
재고:
12990357
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NTMT090N65S3HF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SuperFET® III, FRFET®
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
36A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 860µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2930 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
272W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
4-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스
4-PowerTSFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-NTMT090N65S3HFDKR
488-NTMT090N65S3HFTR
488-NTMT090N65S3HFCT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
S2M0080120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK3A90E,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
ICE15N60W
Superjunction MOSFET
