제조업체 제품 번호:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTMTSC1D6N10MCTXG-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
상세 설명:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
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제출
NTMTSC1D6N10MCTXG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 650µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7630 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
5.1W (Ta), 291W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount, Wettable Flank
공급업체 장치 패키지
8-TDFNW (8.3x8.4)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
NTMTSC1
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR
488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT
488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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