NTNS3A65PZT5GHW
제조업체 제품 번호:

NTNS3A65PZT5GHW

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NTNS3A65PZT5GHW-DG

설명:

MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
상세 설명:
P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

재고:

12972312
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제출

NTNS3A65PZT5GHW 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
281mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1.1 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
44 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
155mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
패키지 / 케이스
3-XFDFN

추가 정보

다른 이름들
2832-NTNS3A65PZT5GHW
488-NTNS3A65PZT5GHWTR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
OBSOLETE
DIGI 인증
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