제조업체 제품 번호:
NTP8G202NG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTP8G202NG-DG
설명:
GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220
재고:
12840870
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제출
NTP8G202NG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
8V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.6V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
65W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
NTP8G2
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTP8G202NGOS
2156-NTP8G202NG-ON
ONSONSNTP8G202NG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPP60R299CPXKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
0
부품 번호
IPP60R299CPXKSA1-DG
단가
1.25
대체 유형
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