제조업체 제품 번호:
NTTS2P03R2
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NTTS2P03R2-DG
설명:
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
상세 설명:
P-Channel 30 V 2.1A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-MSOP
재고:
12842345
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제출
NTTS2P03R2 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
500 pF @ 24 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
600mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-MSOP
패키지 / 케이스
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
기본 제품 번호
NTTS2P
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NTTS2P03R2OS
2156-NTTS2P03R2-ONTR
ONSONSNTTS2P03R2
표준 패키지
4,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
부품 번호
IRF7606TRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
8585
부품 번호
IRF7606TRPBF-DG
단가
0.23
대체 유형
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