제조업체 제품 번호:
NVD5863NLT4G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NVD5863NLT4G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK
재고:
12841372
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
NVD5863NLT4G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14.9A (Ta), 82A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3850 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.1W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
NVD586
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NVD5863NLT4G-VF01CT
NVD5863NLT4G-VF01TR
NVD5863NLT4G-VF01DKR-DG
ONSONSNVD5863NLT4G
NVD5863NLT4G-DG
NVD5863NLT4GOSCT
NVD5863NLT4G-VF01DKR
NVD5863NLT4G-VF01
NVD5863NLT4G-VF01TR-DG
2156-NVD5863NLT4G
NVD5863NLT4GOSTR
NVD5863NLT4G-VF01CT-DG
NVD5863NLT4GOSDKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD90N06S4L06ATMA2
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
3430
부품 번호
IPD90N06S4L06ATMA2-DG
단가
0.52
대체 유형
Similar
부품 번호
IRFR1010ZTRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5755
부품 번호
IRFR1010ZTRPBF-DG
단가
0.61
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
2SK122800L
MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1
NDPL070N10BG
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
NVTFWS002N04CLTAG
MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
