제조업체 제품 번호:
NVMFD5873NLT1G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NVMFD5873NLT1G-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
상세 설명:
Mosfet Array 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
재고:
12843921
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제출
NVMFD5873NLT1G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1560pF @ 25V
전력 - 최대
3.1W
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
기본 제품 번호
NVMFD5873
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-NVMFD5873NLT1G-488
NVMFD5873NLT1G-DG
NVMFD5873NLT1GOSDKR
NVMFD5873NLT1GOSCT
NVMFD5873NLT1GOSTR
표준 패키지
1,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPG20N06S4L14AATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
29937
부품 번호
IPG20N06S4L14AATMA1-DG
단가
0.49
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