제조업체 제품 번호:
NVMS5P02R2G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NVMS5P02R2G-DG
설명:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
상세 설명:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
재고:
4555 새로운 원본 재고 있음
12843239
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제출
NVMS5P02R2G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.95A (Ta)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.25V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1900 pF @ 16 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
-
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
NVMS5P02
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
NVMS5P02R2GOSDKR
NVMS5P02R2G-DG
2156-NVMS5P02R2G-OS
NVMS5P02R2GOSTR
NVMS5P02R2GOSCT
ONSONSNVMS5P02R2G
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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