NVMYS2D3N06CTWG
제조업체 제품 번호:

NVMYS2D3N06CTWG

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

NVMYS2D3N06CTWG-DG

설명:

T6 60V SL LFPAK4 5X6
상세 설명:
N-Channel 60 V 28.7A (Ta), 171A (Tc) 3.8W (Ta), 134.4W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

재고:

13000958
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
1aOe
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

NVMYS2D3N06CTWG 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28.7A (Ta), 171A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 180µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3584 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 134.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
LFPAK4 (5x6)
패키지 / 케이스
SOT-1023, 4-LFPAK

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
488-NVMYS2D3N06CTWGTR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
diodes

DMT12H060LFDF-7

MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CP

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

diodes

DMP22D5UFO-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-

rohm-semi

SCT4062KEHRC11

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST