제조업체 제품 번호:
NXH010P120MNF1PTNG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NXH010P120MNF1PTNG-DG
설명:
SIC 2N-CH 1200V 114A
상세 설명:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
재고:
12973676
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제출
NXH010P120MNF1PTNG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
Tray
시리즈
-
제품 상태
Active
기술
Silicon Carbide (SiC)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
114A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.3V @ 40mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
454nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4707pF @ 800V
전력 - 최대
250W (Tj)
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
-
기본 제품 번호
NXH010
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-NXH010P120MNF1PTNG
표준 패키지
28
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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