제조업체 제품 번호:
NXH200T120H3Q2F2STG
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
NXH200T120H3Q2F2STG-DG
설명:
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
상세 설명:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 330 A 679 W Chassis Mount 56-PIM/Q2PACK (93x47)
재고:
12979139
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제출
NXH200T120H3Q2F2STG 기술 사양
카테고리
IGBTs, IGBT 모듈
제조사
onsemi
포장
Tray
시리즈
-
제품 상태
Active
IGBT 유형
Trench Field Stop
구성
Half Bridge
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
1200 V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
330 A
전력 - 최대
679 W
Vce(on) (최대) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 200A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500 µA
입력 커패시턴스(Cies) @ Vce
35.615 nF @ 25 V
입력
Standard
NTC 서미스터
No
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
56-PIM/Q2PACK (93x47)
데이터 시트 및 문서
추가 정보
다른 이름들
488-NXH200T120H3Q2F2STG
표준 패키지
12
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
NXH200T120H3Q2F2SG
제조사
onsemi
구매 가능 수량
36
부품 번호
NXH200T120H3Q2F2SG-DG
단가
168.97
대체 유형
Parametric Equivalent
DIGI 인증
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