제조업체 제품 번호:
RFD3055LE
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
RFD3055LE-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
상세 설명:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole I-PAK
재고:
6950 새로운 원본 재고 있음
12855897
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제출
RFD3055LE 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
38W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I-PAK
패키지 / 케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
기본 제품 번호
RFD3055
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RFD3055LE-NDR
표준 패키지
75
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM900N06CH X0G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
48855
부품 번호
TSM900N06CH X0G-DG
단가
0.18
대체 유형
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