제조업체 제품 번호:
PJP9NA90_T0_00001
Product Overview
제조사:
Panjit International Inc.
부품 번호:
PJP9NA90_T0_00001-DG
설명:
900V N-CHANNEL MOSFET
상세 설명:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
12970805
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제출
PJP9NA90_T0_00001 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
PANJIT
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1634 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
205W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
PJP9
추가 정보
다른 이름들
3757-PJP9NA90_T0_00001
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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