제조업체 제품 번호:
QJD1210010
Product Overview
제조사:
Powerex Inc.
부품 번호:
QJD1210010-DG
설명:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
상세 설명:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
재고:
12842237
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
QJD1210010 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
Powerex
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Discontinued at Digi-Key
기술
Silicon Carbide (SiC)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V (1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 10mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
500nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10200pF @ 800V
전력 - 최대
1080W
작동 온도
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
Module
공급업체 장치 패키지
Module
기본 제품 번호
QJD1210
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
