제조업체 제품 번호:
2SA673B-E
Product Overview
제조사:
Renesas Electronics Corporation
부품 번호:
2SA673B-E-DG
설명:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 500 mA 400 mW Through Hole TO-92
재고:
5000 새로운 원본 재고 있음
12946384
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제출
2SA673B-E 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
500 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
35 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
600mV @ 15mA, 150mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 3V
전력 - 최대
400 mW
빈도 - 전환
-
작동 온도
150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
TO-92
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
RENRNS2SA673B-E
2156-2SA673B-E
표준 패키지
740
환경 및 수출 분류
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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