2SK3430-AZ
제조업체 제품 번호:

2SK3430-AZ

Product Overview

제조사:

Renesas Electronics Corporation

부품 번호:

2SK3430-AZ-DG

설명:

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
상세 설명:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.5W (Ta), 84W (Tc) Through Hole TO-220AB

재고:

12853816
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제출

2SK3430-AZ 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Renesas Electronics Corporation
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2800 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.5W (Ta), 84W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

표준 패키지
1

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF4104PBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
928
부품 번호
IRF4104PBF-DG
단가
0.78
대체 유형
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